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SMC電磁閥密封件損壞的幾種原因
SMC電磁閥是管路流體輸送系統(tǒng)中控制部件,它是用來改變通路斷面和介質流動方向,具有導流、截止、節(jié)流、止回、分流或溢流卸壓功能。密封面損壞的原因有人為損壞和自然損壞兩種。人為損壞,是由于設計不周、制造不精、選材不當、安裝不正、使用不和維修不力因素引起的。自然損壞,是閥門正常工作情況下的磨損,是介質對密封面不可避免的腐蝕和沖蝕造成的損壞。
SMC電磁閥具體來說,造成閥門密封面受損的主要原因有以下幾種:
安裝不正和維修不力導致密封面工作不正常,閥門帶病運轉,過早地損壞了密封面。
選型不當和操縱不良所引起的損壞。主要表現在沒有按工況前提選用閥門,把進口截止閥當節(jié)流閥使用,導致封閉比壓過大以及封閉過快或封閉不嚴,使密封面受到沖蝕和磨損。
密封面加工質量不,主要表現在密封面上有裂紋、氣孔和夾碴缺陷,是因為堆焊和熱處理規(guī)范選用不當以及堆焊和熱處理過程中操縱不良引起的,密封面硬渡過高或過低,是因為選材分歧錯誤或熱處理不當引起的,密封面硬度不勻、不耐侵蝕,主要是因為在堆焊過程中將底層金屬吹到上面來了,沖淡了密封面合金成分所引起的。當然,這里面也存在設計的題目。
SMC電磁閥機械損傷,密封面在開閉過程中會產生擦傷、碰傷、擠傷損壞。兩密封面之間,在高溫高壓的作用下發(fā)生原子相互滲透滲出,產生粘連現象。當兩密封面相互移動時,粘連處輕易拉撕。密封面表面粗拙度越高,這種現象越輕易發(fā)生。閥門在封閉過程中、閥瓣在回座過程中會碰傷和擠傷密封面,使密封表面局部磨損或產生壓痕。
SMC電磁閥介質的沖蝕,它是介質活動時對密封面磨損、沖洗、汽蝕的結果。介質在一定的速度下,介質中的浮游細粒抵觸觸犯密封面,使其造成局部損壞,高速活動的介質直接沖洗密封面,使其造成局部損壞,介質混流和局部汽化時,產氣憤泡爆破沖擊密封面表面,造成局部損壞。介質的沖蝕加之化學侵蝕交替作用,會的浸蝕密封面。
SMC電磁閥密封面互相接觸、密封面與封閉體和閥體的接觸以及介質的濃度差、氧濃差原因,都會產生電位差,發(fā)生電化學侵蝕,致使陽極一方的密封面被侵蝕。
用1.1倍公稱壓力的室溫水,水中可含有水溶油或防銹劑,按規(guī)定的入口方向輸入調節(jié)閥的閥體,另一端封閉,同時使閥桿每分鐘作1~3次往復動作,持續(xù)時間不少于3min。觀察進口調節(jié)閥填料函及其他連接處有無無滲漏現象。試驗后應排空,必要時應清洗和干燥。
氣室密封性
將設計規(guī)定的額定壓力的氣源通入密封氣室中,切斷氣源,觀察在5min內薄膜氣室內或氣缸各氣室內壓力降低值。對于無內漏可能的執(zhí)行機構氣室,可在氣室的各密封處涂上肥皂水,檢查有無滲漏,對于小規(guī)格的執(zhí)行機構還可以直接浸在水中,檢查有無滲漏。
基本誤差
將規(guī)定的輸入信號平穩(wěn)地按增大或減小方向輸入執(zhí)行機構氣室(或定位器),測量各點所對應的行程值,并按公式(1)計算實際“信號--行程"關系與理論關系之間的各點誤差,其大值即為基本誤差。
δi=[(li-Li)/L]×100%.................(1)
式中:
δi-----------i點的誤差;
li------------i點的實際行程;
Li-----------i點的理論行程;
L-----------調節(jié)閥的額定行程。
除非另有規(guī)定,試驗點應至少包括信號范圍的0、25%、50%、75%、100%五個點。
測量儀表基本誤差限應不過被試調節(jié)閥基本誤差的1/4。
回差
試驗程序與4,在同一輸入信號上所測得的正反行程的大差值的即為回差。
死區(qū)
緩慢改變(增大或減?。┹斎胄盘?,直到觀察出一個可察覺的行程變化,記下這時的輸入信號值;
按相反方向緩慢變化(減小或增大)輸入信號,直到觀察出一個可察覺的行程變化,記下這時的輸入信號值;
上述a)、b)兩項輸入信號值之差的即為死區(qū),死區(qū)應在輸入信號量程的25%、50%和75%三點上進行試驗。
始終點偏差
將輸入信號上、下限值分別加入氣動執(zhí)行機構氣室(或定位器),測取相應的行程值,按公式(1)計算始終點偏差。